熱阻測(cè)試儀是先進(jìn)的熱測(cè)試儀，用于測(cè)試IC、LED、散熱器、熱管等電子器件的熱特性。該儀器基于先進(jìn)的測(cè)試方法，通過(guò)改變電子器件的輸入功率，使得器件產(chǎn)生溫度變化，在變化過(guò)程中，儀器測(cè)試出芯片的瞬態(tài)溫度響應(yīng)曲線(xiàn)，僅在幾分鐘之內(nèi)即可分析得到關(guān)于該電子器件的全面的熱特性。儀器測(cè)試技術(shù)不是基于“脈沖方法”的熱測(cè)試儀，“脈沖方法”由于是基于延時(shí)測(cè)量的技術(shù)所以其測(cè)出的溫度瞬態(tài)測(cè)試曲線(xiàn)精度不高，而熱阻測(cè)試儀采用的是“運(yùn)行中”的實(shí)時(shí)測(cè)量的方法，結(jié)合其精密的硬件可以快速精確撲捉到高信噪比的溫度瞬態(tài)曲線(xiàn)。
工作原理：
1、首先通過(guò)改變電子器件的功率輸入；
2、通過(guò)TSP測(cè)試出電子器件的瞬態(tài)溫度變化曲線(xiàn)；
3、對(duì)溫度變化曲線(xiàn)進(jìn)行數(shù)值處理，抽取出結(jié)構(gòu)函數(shù)；
4、從結(jié)構(gòu)函數(shù)中自動(dòng)分析出熱阻和熱容等熱屬性參數(shù)。
熱阻測(cè)試儀應(yīng)用范圍：
各種三極管、二極管等半導(dǎo)體分立器件，包括：常見(jiàn)的半導(dǎo)體閘流管、雙極型晶體管、以及大功率IGBT、MOSFET、LED等器件。
各種復(fù)雜的IC以及MCM、SIP、SoC等新型結(jié)構(gòu) 。
各種復(fù)雜的散熱模組的熱特性測(cè)試，如熱管、風(fēng)扇等。
半導(dǎo)體器件結(jié)溫測(cè)量。
半導(dǎo)體器件穩(wěn)態(tài)熱阻及瞬態(tài)熱阻抗測(cè)量。
半導(dǎo)體器件封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析，包括器件封裝內(nèi)部每層結(jié)構(gòu)（芯片+焊接層+熱沉等）的熱阻和熱容參數(shù)。
半導(dǎo)體器件老化試驗(yàn)分析和封裝缺陷診斷，幫助用戶(hù)準(zhǔn)確定位封裝內(nèi)部的缺陷結(jié)構(gòu)。
材料熱特性測(cè)量（導(dǎo)熱系數(shù)和比熱容）。
接觸熱阻測(cè)量，包括導(dǎo)熱膠、新型熱接觸材料的導(dǎo)熱性能測(cè)試。
主要特點(diǎn)：
1、儀器符合JEDEC JESD51-1和MIL-STD-750E標(biāo)準(zhǔn)法規(guī)。
2、儀器兼具JESD51-1定義的靜態(tài)測(cè)試法與動(dòng)態(tài)測(cè)試法，能夠?qū)崟r(shí)采集器件瞬態(tài)溫度響應(yīng)曲線(xiàn)，其采樣率高達(dá)1微秒，測(cè)試延遲時(shí)間高達(dá)1微秒，結(jié)溫分辨率高達(dá)0.01℃。
3、能測(cè)試穩(wěn)態(tài)熱阻，也能測(cè)試瞬態(tài)熱阻抗。
4、獨(dú)創(chuàng)的分析法，能夠分析器件熱傳導(dǎo)路徑上每層結(jié)構(gòu)的熱學(xué)性能，構(gòu)建器件等效熱學(xué)模型，是器件封裝工藝、可靠性試驗(yàn)、材料熱特性以及接觸熱阻的強(qiáng)大支持工具。因此被譽(yù)為熱測(cè)試中的“X射線(xiàn)”。
5、可以和熱仿真軟件FloEFD無(wú)縫結(jié)合，將實(shí)際測(cè)試得到的器件熱學(xué)參數(shù)導(dǎo)入仿真軟件進(jìn)行后續(xù)仿真優(yōu)化。
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